AIGB15N65H5
新規設計非推奨
RoHS対応

AIGB15N65H5

小型SMDパッケージの高速スイッチング・アプリケーション向けのワールドクラスの低コスト電力
データシート
パッケージ

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AIGB15N65H5
AIGB15N65H5
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • IC (@ 100°) (最大)
    15 A
  • IC (@ 25°) (最大)
    30 A
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • スイッチング周波数
    15-100 kHz
  • パッケージ (Type)
    D2PAK (TO-263-3)
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263-3)
  • リフローはんだ付け可能
    Yes
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
  • 発売年
    2020
  • 種類
    IGBT
  • 電圧クラス (最大)
    650 V
OPN
AIGB15N65H5ATMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK (TO-263-3)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK (TO-263-3)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
インフィニオンの650V TRENCHSTOP™ 5 AUTOテクノロジーは、電気自動車とハイブリッド車の効率を向上させます。そのIGBT技術は、損失を最小限に抑え、オンボードチャージャー、PFC、DC/ACなどのアプリケーションの効率を最大化します。これにより、EVバッテリーの航続距離が延びたり、バッテリーが小さくなったり、ハイブリッド車の燃料消費量が削減されたりします。TRENCHSTOP™ 5 AUTOは、MOSFETに代わるコスト効率の高い製品を提供し、D²PAKのようなSMDハウジングは、システムコストを削減し、品質管理を強化します。

特長

  • TRENCHSTOP™ 5技術、低VCEsat
  • 非常に高速なスイッチング(最大150kHz)
  • Infineonの品質基準に適合
  • 最大接合部温度175°C
  • 最高効率 低導通損失
  • 非常に低いスイッチング損失
  • 非常に低いジャンクションおよびケース温度
  • SMD D2PAKにより、組み立てコストを低く抑え
  • 非常に堅牢
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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