Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

6EDM2003L06-F15

3-Phase Bridge Driver IC Bare Die for IGBT and MOSFET
データシート

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6EDM2003L06-F15
6EDM2003L06-F15
データシート

Product details

  • VBS UVLO (On)
    12.1 V
  • VBS UVLO (Off)
    10.4 V
  • VCC UVLO (On)
    12.1 V
  • VCC UVLO (Off)
    10.4 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)
  • コンフィギュレーション
    Three Phase
  • チャネル
    6
  • 伝搬遅延オフ
    560 ns
  • 伝搬遅延オン
    555 ns
  • 入力 Vcc
    13 V to 17.5 V
  • 出力電流 (Sink)
    0.33 A
  • 出力電流 (Source)
    0.148 A
  • 製品名
    6EDM2003L06-F15
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    600 V
推奨
OPN
6EDM2003L06F15X7SA2
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1
包装形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 -
包装サイズ 1
包装形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
水分レベル -
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The 6EDM2003L06-F15 is a full bridge driver to control power devices like MOSFETs or IGBTs in 3-phase systems with a maximum blocking voltage of +600 V. Based on the used SOI technology there is an excellent ruggedness on transient voltages. No parasitic thyristor structures are present in the device. Hence, no parasitic latch up may occur at all temperature and voltage conditions.

機能

  • 600 V Thin-film-SOI-technology
  • Tolerant to -Vs 50V transient spike
  • Integrated bootstrap functionality
  • CMOS and LSTTL compatible input
  • Interlock to prevent shoot-through
  • OCP and UVLO protection
  • Shut down of all switches during error
  • 65 µs delay for fault clear after OCP

利点

  • Integrated BS diode for cost savings
  • 50 V -VS for increased reliability
  • Integrated protection for cost saving
  • UVLO protection at low supply voltage

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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