6EDM2003L06-F10
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

6EDM2003L06-F10

3-Phase Bridge Driver IC Bare Die for IGBT and MOSFET
データシート

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6EDM2003L06-F10
6EDM2003L06-F10
データシート

製品仕様情報

  • VBS UVLO (On)
    12.1 V
  • VBS UVLO (Off)
    10.4 V
  • VCC UVLO (On)
    12.1 V
  • VCC UVLO (Off)
    10.4 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)
  • コンフィギュレーション
    Three Phase
  • チャネル
    6
  • 伝搬遅延オフ
    560 ns
  • 伝搬遅延オン
    555 ns
  • 入力 Vcc 範囲
    13 V～17.5 V
  • 出力電流 (Sink)
    0.3 A
  • 出力電流 (Source)
    0.089 A
  • 製品名
    6EDM2003L06-F10
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    600 V
推奨
OPN
6EDM2003L06F10X7SA2
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 1
梱包形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The 6EDM2003L06-F10 is a full bridge driver to control power devices like MOSFETs or IGBTs in 3-phase systems with a maximum blocking voltage of +600 V. Based on the used SOI technology there is an excellent ruggedness on transient voltages. No parasitic thyristor structures are present in the device. Hence, no parasitic latch up may occur at all temperature and voltage conditions

特長

  • 600 V Thin-film-SOI-technology
  • Tolerant to -Vs 50V transient spike
  • Integrated bootstrap functionality
  • CMOS and LSTTL compatible input
  • Interlock to prevent shoot-through
  • OCP and UVLO protection
  • Shut down of all switches during error
  • 65 µs delay for fault clear after OCP

利点

  • Integrated BS diode for cost savings
  • 50 V -VS for increased reliability
  • Integrated protection for cost saving
  • UVLO protection at low supply voltage
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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