5962R2321301VXC

Infineon’s radiation hardened 2 Mb non-volatile Ferroelectric RAM (F-RAM) memory offers the utmost reliability and performance for extreme environments.

データシート

5962R2321301VXC

データシート

製品仕様情報

Density

2 MBit
インターフェース

Parallel
デバイスの重量

1716.9 mg
ピークリフロー温度

260 °C
ファミリー

F-RAM
リードボール仕上げ

Au
動作温度範囲

-55 °C～125 °C
動作電圧範囲

2 V～3.6 V
組織 (X x Y)

128K x 16
認定

Military

	推奨
OPN	5962R2321301VXCBDSA1
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	CG-FP-44
パッケージ名	CERAMIC-TSOP-44 (002-33895)
梱包サイズ	1
梱包形態	CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル)	1
防湿梱包	NON DRY
鉛フリー	No
ハロゲンフリー	No
RoHS対応	Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	CG-FP-44
パッケージ名	CERAMIC-TSOP-44 (002-33895)
梱包サイズ	1
梱包形態	CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル)	1
防湿梱包	NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

Our rad hard F-RAM is one of the industry’s lowest power, non-volatile memory solutions that is Single Event Upset (SEU) immune and virtually unlimited endurance. Infineon’s instant non-volatile write technology and greater than 100-year data retention provides the highest reliability for space applications.

特長

2Mbit density (128K x 16)
10-trillon read/write cycle endurance
120 years data retention at +85°C
Extremely low programming voltage (2V)
Low operating current (20 mA max)
DLAM QML-V qualified SMD 5962-23213 (1 and 2Mb F-RAM)
Radiation performance
TID: > 150 Krad (Si)
SEL: > 96 MeV.cm2/mg [LET] @ 115°C
SEU: IMMUNE
SEFI: 5.35e-5 err/dev.day (standby mode)
SEFI: IMMUNE (sleep mode)

アプリケーション

デザインリソース

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5962R2321301VXC

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製品仕様情報

特長

アプリケーション

デザインリソース

パートナーソリューション

開発者コミュニティ

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