5962R2020202VYC
Active and preferred
RoHS対応

5962R2020202VYC

QML-V認定の16 Mb高速非同期SRAMは、高速アクセス時間、組み込みECC、および過酷な動作環境における優れた放射線性能を備えています。

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5962R2020202VYC
5962R2020202VYC

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • デバイスの重量
    3878.7 mg
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~125 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V~3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    2M x8
  • 認定
    Military
OPN
5962R2020202VYCBDSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FLATPACK-36 (001-67583)
梱包サイズ 1
梱包形態 CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FLATPACK-36 (001-67583)
梱包サイズ 1
梱包形態 CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
インフィニオンの特許取得済みRADSTOPテクノロジーで設計されたインフィニオンの16 Mb非同期SRAMファミリーは、宇宙用途をはじめ、その他の過酷環境アプリケーションにも最適です。16 Mb高速SRAMは、ECCを内蔵した高性能、低消費電力のSRAMで、2 Mbit × 8ビット構成です。

特長

  • 16 Mb密度、2 M × 8
  • 単一ビット エラー訂正用のECC内蔵
  • 10 nsのアクセス時間
  • 動作電圧範囲: 2.2 V~3.6 V
  • −55℃~+125℃の軍用温度グレード
  • 36ピン セラミック フラットパック (CFP)
  • DLAM QML-V認定SMD 5962-20202
  • TID: 200 krad
  • SEL: > 60 MeV·cm2/mg (95℃)
  • SEU: ≤ 1 x 10-10 upsets/bit-day

利点

  • QML-V認定
  • システム全体の演算性能の限界を拡張します
  • サイズ、重量、消費電力 (SWaP) を最適化
  • 設計の柔軟性が向上

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ