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5962R1821501VXF

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5962R1821501VXF
5962R1821501VXF
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    144 MBit
  • ECC
    N
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    Y
  • アーキテクチャ
    QDR-II+, ODT
  • インターフェース
    Parallel
  • デバイスの重量
    6152.8 mg
  • データバス幅
    x 36
  • バンク スイッチング
    N
  • バースト長 (Words)
    2
  • ピークリフロー温度
    220 °C
  • ファミリー
    ODT, QDR-II+
  • リードボール仕上げ
    Sn/Pb
  • 動作温度
    -55 °C to 125 °C
  • 動作電圧
    1.7 V to 1.9 V
  • 周波数
    250 MHz
  • 組織 (X x Y)
    4Mb x 36
  • 認定
    Military
  • 読み込みレイテンシ (サイクル)
    2
推奨
OPN
5962R1821501VXF
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CGA-165
パッケージ名 CCGA-165 (001-58969)
包装サイズ 1
包装形態 TRAY
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CGA-165
パッケージ名 CCGA-165 (001-58969)
包装サイズ 1
包装形態 TRAY
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon’s 144Mb Quad Data Rate (QDR®)-II+, CYRS164x and CYRS264x series, are high performance, synchronous pipelined SRAMs designed with Infineon’s RADSTOP™ technology.  The 144Mb QDR®-II+ memories are available in x18/x36 and two-word/four-word data bus configurations, and optional on-die termination (ODT).  Our QDR®-II+ provides low latency and random memory access capability ideal for high speed cache applications. Infineon’s radiation hardened memories are QML-V certified, meeting the reliability and lifecycle demands of extreme environments. Our RADSTOPTM memory solutions enhance overall system computing limits while providing Size, Weight, and Power (SWaP) benefits and greater design flexibility. Infineon’s state-of-the art RADSTOP™ technology is radiation hardened through proprietary design and process hardening techniques.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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