Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

2N7002

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET), 60V, SOT-23
EA.
在庫あり

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Product details

  • Ciss
    13 pF
  • Coss
    4.1 pF
  • ID (@25°C) max
    0.3 A
  • IDpuls max
    1.2 A
  • Ptot max
    0.5 W
  • QG (typ @10V)
    0.4 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    3000 mΩ
  • RthJA max
    250 K/W
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    2.1 V
  • パッケージ
    SOT-23
  • 予算価格€/ 1k
    0.02
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Small Signal
OPN
2N7002H6327XTSA2
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOT-23
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOT-23
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The 2N7002 is an n-channel enhancement mode MOSFET in a small surface mount package with superior switching performance. This product is particularly suited for low-voltage, low-current applications.

機能

  • Enhancement mode
  • Logic Level
  • Avalanche rated
  • Fast switching
  • Pb-free lead-plating
RoHS compliant
  • Halogen-free
  • ドキュメント

    デザイン リソース

    開発者コミュニティ

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