2ED2304S06F
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

2ED2304S06F

650 V Half Bridge Gate Driver IC with Integrated Bootstrap Diode (BSD)
データシート
パッケージ
ボード
個.
在庫あり

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2ED2304S06F
2ED2304S06F
個.
データシート

製品仕様情報

  • VBS UVLO (Off)
    8.3 V
  • VBS UVLO (On)
    9.1 V
  • VCC UVLO (On)
    9.1 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.3 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)
  • コンフィギュレーション
    Half-Bridge
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    300 ns
  • 伝搬遅延オン
    310 ns
  • 入力 Vcc 範囲
    10 V～17.5 V
  • 出力電流 (Source)
    0.36 A
  • 出力電流 (Sink)
    0.7 A
  • 製品名
    2ED2304S06F
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    650 V
推奨
OPN
2ED2304S06FXUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 -
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
EiceDRIVER™ 650 V SOI half-bridge gate driver IC with integrated Bootstrap Diode with 0.36 A source and 0.7 A sink currents in DSO-8 package. It provides excellent ruggedness and noise immunity. The Schmitt trigger logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL logic. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration.

特長

  • Thin-film-SOI-technology
  • Operational to +650 V offset volt.
  • Integr. ultra-fast bootstrap diode
  • Output source current capa. +0.36 A
  • Output sink current capa. -0.7 A
  • Tolerant to neg. transient volt.
  • Gate drive supply: 10 V to 20 V
  • Independent under-voltage lockout
  • Short propagation delay
  • Schmitt trigger inputs
  • 3.3, 5 & 15 V input logic compatib.
  • DSO-8, RoHS compliant package

図

Circuit_diagram_2ED2304S06F
Circuit_diagram_2ED2304S06F
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ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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