Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

2ED2110S06M

650 V high-side and low-side gate driver with integrated bootstrap diode
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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2ED2110S06M
2ED2110S06M
EA.
データシート

Product details

  • VBS UVLO (On)
    8.9 V
  • VBS UVLO (Off)
    8 V
  • VCC UVLO (On)
    8.9 V
  • VCC UVLO (Off)
    8 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)
  • コンフィギュレーション
    High-side and low-side
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    110 ns
  • 伝搬遅延オン
    110 ns
  • 入力 Vcc
    10 V to 20 V
  • 出力電流 (Sink)
    2.5 A
  • 出力電流 (Source)
    2.5 A
  • 製品名
    2ED2110S06M
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    650 V
推奨
OPN
2ED2110S06MXUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 -
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
650 V high speed, high current high-side and low-side gate driver with typical 2.5 A source and sink currents in DSO-16 package for driving power MOSFET s and IGBT s.Based on our SOI-technology , the 2ED2110S06M has excellent ruggedness and noise immunity against negative transient voltages on VS pin. With no parasitic thyristor structures present in the device, no parasitic latch up can occur over all temperature and voltage conditions.

機能

  • Op. voltages (VS node) < + 650 V
  • Neg. VS transient immunity of 100 V
  • Integr. ultra-fast bootstrap diode
  • 90 ns propagation delay
  • Floating channel for bootstrap op.
  • Independent UVLO for both channels
  • Logic op. up to –11 V on VS Pin
  • Neg. voltage tol. on inputs of –5 V
  • Maximum supply voltage of 25 V
  • 3.3, 5 & 15 V input logic compatib.
  • Separate logic and power ground

図

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パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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