Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

2ED2108S06F

650 V, 0.7 A half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode in DSO-8 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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2ED2108S06F
2ED2108S06F
EA.
データシート

Product details

  • VBS UVLO (Off)
    7.2 V
  • VBS UVLO (On)
    8.2 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    9.1 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)
  • コンフィギュレーション
    Half Bridge
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    200 ns
  • 伝搬遅延オン
    200 ns
  • 入力 Vcc
    10 V to 20 V
  • 出力電流 (Sink)
    0.7 A
  • 出力電流 (Source)
    0.29 A
  • 製品名
    2ED2108S06F
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    650 V
推奨
OPN
2ED2108S06FXUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 N/A
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 -
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
650 V half-bridge high speed power MOSFET and IGBT gate driver with typical 0.29 source current, and 0.7 sink current in DSO-8 package. The DSO-14 package for bigger creepage is also available: 2ED21084S06J .Based on Infineon’s SOI-technology , having excellent ruggedness and noise immunity against negative transient voltages on VS pin. No parasitic thyristor structures present in the device, hence no parasitic latch up at all temperature and voltage conditions.

機能

  • Op. voltages (VS node) < + 650 V
  • Neg. VS transient immunity of 100 V
  • Integr. ultra-fast bootstrap diode
  • Floating channel for bootstrap op.
  • Maximum supply voltage of 25 V
  • Independent UVLO for both channels
  • 200 ns propagation delay
  • Internal 540 ns dead time
  • HIN, /LIN logic input
  • Logic op. up to –11 V on VS Pin
  • Neg. voltage tol. on inputs of –5 V
  • For high side switches

図

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パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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