アクティブで優先
RoHS準拠
鉛フリー

2ED2108S06F

650 V, 0.7 A half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode in DSO-8 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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2ED2108S06F
2ED2108S06F
EA.
データシート

Product details

  • VBS UVLO (Off)
    7.2 V
  • VBS UVLO (On)
    8.2 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    9.1 V
  • Isolation Type
    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)
  • Configuration
    Half Bridge
  • Channels
    2
  • Turn Off Propagation Delay
    200 ns
  • Turn On Propagation Delay
    200 ns
  • Input Vcc
    10 V to 20 V
  • Output Current (Sink)
    0.7 A
  • Output Current (Source)
    0.29 A
  • Qualification
    Industrial
  • Voltage Class
    650 V
推奨
OPN
2ED2108S06FXUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 N/A
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 -
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
650 V half-bridge high speed power MOSFET and IGBT gate driver with typical 0.29 source current, and 0.7 sink current in DSO-8 package. The DSO-14 package for bigger creepage is also available: 2ED21084S06J .Based on Infineon’s SOI-technology , having excellent ruggedness and noise immunity against negative transient voltages on VS pin. No parasitic thyristor structures present in the device, hence no parasitic latch up at all temperature and voltage conditions.

機能

  • Op. voltages (VS node) < + 650 V
  • Neg. VS transient immunity of 100 V
  • Integr. ultra-fast bootstrap diode
  • Floating channel for bootstrap op.
  • Maximum supply voltage of 25 V
  • Independent UVLO for both channels
  • 200 ns propagation delay
  • Internal 540 ns dead time
  • HIN, /LIN logic input
  • Logic op. up to –11 V on VS Pin
  • Neg. voltage tol. on inputs of –5 V
  • For high side switches

図

Block_2ED2108S06F
Block_2ED2108S06F
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パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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