1EDB8275F
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

1EDB8275F

Single-channel isolated gate-driver IC in 150 mil DSO-8 package
データシート
パッケージ
ボード
個.
在庫あり

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1EDB8275F
1EDB8275F
個.
データシート

製品仕様情報

  • VBS UVLO (On)
    8 V
  • VBS UVLO (Off)
    7 V
  • VCC UVLO (On)
    2.85 V
  • アイソレーション タイプ
    Galvanic isolation - Functional
  • コンフィギュレーション
    High-side
  • チャネル
    1
  • 伝搬遅延オフ
    45 ns
  • 伝搬遅延オン
    45 ns
  • 入力 Vcc 範囲
    3 V～15 V
  • 出力電流 (Sink)
    9.8 A
  • 出力電流 (Source)
    5.4 A
  • 製品名
    1EDB8275F
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    650 V
推奨
OPN
1EDB8275FXUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 -
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The 1EDB8275F provides an input-to-output isolation of 3 kVrms. With a propagation delay accuracy of +6/-4 ns, the gate driver is optimized for fast-switching applications with high system-level efficiencies. To support functionally safe system operation the common-mode transient immunity (CMTI) exceeds 300 V/ns, the typical output stage clamping speed is as short as 20 ns, and output-stage undervoltage lock-out (UVLO) of 8.0 V.

特長

  • 3 kV galvanic isolation
  • UL 1577 certification
  • 300 V/ns CMTI
  • Low output impedance
  • +6/-4 ns propagation delay accuracy
  • 20 ns (typ.) output clamping speed

利点

  • High immunity against switching noise
  • Shoot-through protection during start-up
  • Low MOSFET switching-losses
  • Low dead-time losses
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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