Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

1ED21471S65F

650 V high-side gate driver IC with over current protection (OCP), multi-function RCIN/Fault/Enable (RFE) and integrated bootstrap diode (BSD)
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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1ED21471S65F
1ED21471S65F
EA.
データシート

Product details

  • VBS UVLO (On)
    10 V
  • VBS UVLO (Off)
    8.7 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.7 V
  • VCC UVLO (On)
    10 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)
  • コンフィギュレーション
    High-side
  • チャネル
    1
  • パッケージ
    PG-DSO-8
  • 伝搬遅延オフ
    55 ns
  • 伝搬遅延オン
    55 ns
  • 入力 Vcc
    10.8 V to 22 V
  • 出力電流 (Source)
    4 A
  • 出力電流 (Sink)
    4 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    650 V
推奨
OPN
1ED21471S65FXUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 N/A
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 -
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
EiceDRIVER™ 650 V high side single channel gate driver IC with a typical 4 A source and 4 A sink current in DSO-8 package for IGBTs, MOSFETs and SiC MOSFETs.

機能

  • Infineon thin-film-SOI-technology
  • Maximum blocking voltage +650 V
  • Output source/sink current +4 A/ -4 A
  • Maximum supply voltage of 25 V
  • Integrated Bootstrap Diode
  • Negative VS transient immunity of 100 V
  • Over current & under voltage protection
  • Multi-function RFE pin functionality
  • Less than 100 ns propagation delay
  • DSO-8 package
  • RoHS compliant

利点

  • Excellent ruggedness and noise immunity
  • High current output stage
  • Power switch protection integrated
  • Fault feedback provided

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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