DD450S45T3E4_B5
Active and preferred
RoHS対応

DD450S45T3E4_B5

4500 V, 450 A Diode IGBT module
データシート

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DD450S45T3E4_B5
DD450S45T3E4_B5
データシート

製品仕様情報

  • IC(nom) / IF(nom)
    450 A
  • IC (最大)
    450 A
  • VCES / VRRM
    4500 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    2.6 V
  • コンフィギュレーション
    Diodes
  • パッケージ
    XHP™ 3
  • 寸法 (length)
    140 mm
  • 寸法 (width)
    99.8 mm
  • 技術
    Diode
  • 特長
    10.4 kV isolation
  • 認定
    Traction, Industrial
  • 電圧クラス (最大)
    4500 V
推奨
OPN
DD450S45T3E4B5BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ AG-XHP3K45
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 1
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ AG-XHP3K45
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
XHP™ 3 4500 V, 450 A diode IGBT module with Emitter Controlled E4 Diode and enhanced isolation of 10.4 kV. Predestined to be combined with IGBT module FF450R45T3E4_B5

特長

  • High DC stability
  • High surge current capability
  • Low inductive design
  • Package with CTI > 600
  • Package insulation 10.4 kV AC 1min
  • Tvj op=150°C
  • AlSiC base plate with AlN substrate
  • for increased Thermal cycling
  • Fire & smoke EN45545 R22, R23 : HL3
  • Modular concept
  • Dual Diode

利点

  • Standardized housing: 100x140x40 mm
  • Long service life
  • Enables clean electrical design
  • Enables clean mechanical design
  • Easy set-up of 3level NPC1 topology
  • Easy set-up of parallelling
  • Scalability in smaller steps
  • One type for various power levels
  • Smoother supply chain handling
  • Enables downsizing on system level
  • Low FIT Rate
  • less EMI issues
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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