インフィニオン、産業用CoolSiC™ MOSFET 650 V G2にQ-DPAKおよびTOLLパッケージを追加し、電力密度向上を実現

テクノロジーニュース

2025/02/21

2025年2月12日、ミュンヘン (ドイツ)

エレクトロニクス業界は、より小型かつ高性能なシステムに向かって大きくシフトしています。このトレンドに対応し、システムレベルでのイノベーションをさらに推進するため、インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は、CoolSiC™ MOSFET 650 Vのディスクリート製品に、Q-DPAKおよびTOLLパッケージの2つの新しい製品ファミリーを追加し、ポートフォリオを拡張します。

 

これらの多様な製品ファミリーは、上面放熱 (トップサイド冷却、TSC) および下面放熱 (ボトムサイド冷却、BSC) パッケージを含み、 CoolSiC™ Generation 2 (G2) 技術に基づき、大幅に向上した性能、信頼性、使いやすさをもたらします。この製品ファミリーは、高電力および中電力スイッチング電源 (SMPS) を対象としています。それには、AIサーバー、再生可能エネルギー、EV充電器、eモビリティ、ヒューマノイド ロボット、テレビ、駆動装置、ソリッドステート サーキット ブレーカーなどが含まれます。

 

TOLLパッケージは優れた基板上温度サイクル (TCoB) 機能を提供し、プリント基板 (PCB) のフットプリントを削減して小型システムの設計を可能にします。これをSMPSに使用すると、システムレベルの製造コストも削減できます。このTOLLパッケージによって対象アプリケーションの範囲が広がり、PCB設計者はコストをさらに削減し、市場の要求にさらに適切に対応できるようになりました。

 

Q-DPAKパッケージの導入は、CoolMOS™ 8、CoolSiC™、CoolGaN™、OptiMOS™ を含む、インフィニオンの新しい上面放熱 (TSC) 製品ファミリーの継続的な開発を補完するものです。このTSCファミリーによって、低コストで最大の電力密度とシステム効率を備えた、優れた堅牢性を実現できるようになります。また、95%の直接放熱も可能になるため、PCBの両面を使用してスペース管理を改善し、寄生効果を低減することができます。

 

供給状況について

TOLLパッケージのCoolSiC™ MOSFET 650 V G2はオン抵抗が10 ～ 60 mΩの製品、Q-DPAKパッケージでは7、10、15、20 mΩの製品をそれぞれ提供中です。詳細については、 www.infineon.com/coolsic-g2をご覧ください。

 

About Infineon

インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。全世界で約58,060人の従業員を擁し (2024年9月末時点)、2024会計年度 (2023年10月～2024年9月) の売上高は約150億ユーロです。ドイツではフランクフルト証券取引所 (銘柄コード：IFX)、米国では店頭取引市場のOTCQX (銘柄コード：IFNNY) に上場しています。ウエブサイト https://www.infineon.com/ 　Follow us: X - Facebook - LinkedIn

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CoolSiC MOSFET 650V G2 Q-DPAK

CoolSiC MOSFET 650V G2 Q-DPAK

The introduction of the Q-DPAK package complements the ongoing development of Infineon's new family of Topside Cooled (TSC) products.

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