インフィニオンとパナソニック、 650 V GaNパワー デバイスに向けてGaN技術の共同開発を加速

テクノロジーニュース

2021/10/04

2021年9月2日、ミュンヘン (ドイツ) および大阪 (日本)

 インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) とパナソニック株式会社は、より高い効率と電力密度を実現する、実証済みの 窒化ガリウム (GaN) 技術の第2世代 (Gen2) の共同開発 製造に関する契約を締結しました。これにより、インフィニオンは8インチのGaN-on-Siウエハー製造能力と、優れた性能と信頼性を兼ね備えたGaNパワー半導体の需要拡大に戦略的に対応していきます。Gen2は、市場の要求に応じて、650 VのGaN HEMTとして開発されており、本製品は特に高出力および低出力の SMPSアプリケーション、 再生可能エネルギー、 モータードライブ アプリケーションをターゲットに、使いやすさとコストパフォーマンスの向上を実現します。

 

多くの設計において、窒化ガリウム (GaN) はシリコンよりも根本的に優れています。GaN HEMTは、 シリコンMOSFETと比較して、優れた固有のダイナミックOn抵抗とより小さな内部キャパシタンスにより、高速スイッチングに適しています。そのため、省電力、トータル システム コストの削減、高い周波数での動作、電力密度の向上、システム全体の効率化などの理由から、GaNは設計エンジニアにとって非常に魅力的な選択肢となっています。

 

インフィニオンのパワー＆センサーシステム事業部 プレジデントのアンドレアス ウルシッツ (Andreas Urschitz) は、「第1世代と同様の高い信頼性に加えて、第2世代ではトランジスタの制御がより容易になり、8インチ ウエハー製造に移行したことでコスト面でも大幅に改善されます。インフィニオンのCoolGaN™とパナソニックのX-GaN™として知られる共同開発の第1世代デバイスと同様に、第2世代はノーマリーオフのGaNオンシリコン トランジスタ構造を採用しています。これは、ハイブリッドドレイン埋め込みゲート注入トランジスタ (HD-GIT) 構造の比類のない堅牢性と相まって、これらの製品を、市場で最も長期的に信頼できるソリューションの一つとして、選択される製品にしています」と述べています。

 

パナソニック株式会社 インダストリアルソリューションズ社 上田哲三氏 (Associate Director of Engineering Division) は、「当社は、インフィニオンとのGaN製品に関するパートナーシップと協力関係を拡大できることを嬉しく思います。インフィニオンとの共同アプローチにより、最新のイノベーション開発に基づいた高品質な第1世代および第2世代のデバイスを提供することが可能となります」と述べています。

 

供給状況

650 V GaN Gen2デバイスの発売は、2023年前半を予定しています。

Press Photos

5x2a7835 2

5x2a7835 2

The outstanding performance and reliability combined with the capability of 8-inch GaN-on-Si wafer production mark the strategic outreach of Infineon and Panasonic to the growing demand for GaN power semiconductors.

JPEG

2126x1491 px

ダウンロード
×
img-model

Information Number : INFPSS202109-094j