600 V / 1200 V TRENCHSTOP™ IGBTシリーズ

600 V / 1200 V TRENCHSTOP™、 TRENCHSTOP™ 2、および TRENCHSTOP™ IGBT

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概要

トレンチトップセルとフィールドストップコンセプトの組み合わせによる当社のTRENCHSTOP™ IGBT 技術は、デバイスの静特性および動特性の大幅な向上につながります。IGBT とソフトリカバリー エミッタ制御ダイオード (ECD) の組み合わせにより、ターンオン損失がさらに最小限に抑えられます。スイッチング損失と導通損失の間の最良のバランスにより、最高の効率に到達します。

主な特長

  • 低スイッチング損失
  • 低EMIエミッション
  • ばらつきが非常に小さいパラメーター分布
  • 高いコスト競争力

製品

概要

600 Vおよび1200 VのTRENCHSTOP™ IGBTは、導通損失を低減するための低Vce(sat) 、低スイッチング損失、Vce(sat) の正の温度係数による容易な並列動作、非常にソフトで高速回復の逆並列エミッター制御ダイオード、高い堅牢性、温度安定性、低EMI放射、低ゲート電荷、非常に狭いパラメーター分布など、重要な特長を備えています。

600V および1200V のTRENCHSTOP™ IGBT の主な利点は、とりわけ、導通損失とスイッチング損失が低く、最高の効率、設計の柔軟性のための600V および1200V の包括的なポートフォリオ、および高いデバイス信頼性です。

600V TRENCHSTOP™ パフォーマンスシリーズはIGBT で、伝導エネルギーとスイッチオフエネルギーの最適なトレードオフと、優れた堅牢性と優れたEMI動作を兼ね備えています。モーター制御、空調コンプレッサー、HVAC モータードライブ、UPS、太陽光発電コンバーター、およびハード スイッチング トポロジーで最大30kHz で動作するすべての電力変換アプリケーションでの効率向上を可能にします。 600 V TRENCHSTOP™ Performance は、5 μs の短絡能力を備えた中速スイッチングIGBT で、低スイッチング損失、低ダイオード回復損失、低速dV/dt スイッチング (<5 V/ns)、簡単な設計、5 μs の短絡定格、低EMI、およびコスト競争力で優れた性能を提供します。

TRENCHSTOP™ 性能は、総スイッチング損失 (Ets) の低減、すなわち、より優れた効率IGBT、8kHz のスイッチング速度で7% 低いEts、15kHz のスイッチング速度で11%低いEts、低速dV/dt スイッチング (<5V/ns)、およびより高い信頼性のための改善されたセル設計を提供します。

600 Vおよび1200 VのTRENCHSTOP™ IGBTは、導通損失を低減するための低Vce(sat) 、低スイッチング損失、Vce(sat) の正の温度係数による容易な並列動作、非常にソフトで高速回復の逆並列エミッター制御ダイオード、高い堅牢性、温度安定性、低EMI放射、低ゲート電荷、非常に狭いパラメーター分布など、重要な特長を備えています。

600V および1200V のTRENCHSTOP™ IGBT の主な利点は、とりわけ、導通損失とスイッチング損失が低く、最高の効率、設計の柔軟性のための600V および1200V の包括的なポートフォリオ、および高いデバイス信頼性です。

600V TRENCHSTOP™ パフォーマンスシリーズはIGBT で、伝導エネルギーとスイッチオフエネルギーの最適なトレードオフと、優れた堅牢性と優れたEMI動作を兼ね備えています。モーター制御、空調コンプレッサー、HVAC モータードライブ、UPS、太陽光発電コンバーター、およびハード スイッチング トポロジーで最大30kHz で動作するすべての電力変換アプリケーションでの効率向上を可能にします。 600 V TRENCHSTOP™ Performance は、5 μs の短絡能力を備えた中速スイッチングIGBT で、低スイッチング損失、低ダイオード回復損失、低速dV/dt スイッチング (<5 V/ns)、簡単な設計、5 μs の短絡定格、低EMI、およびコスト競争力で優れた性能を提供します。

TRENCHSTOP™ 性能は、総スイッチング損失 (Ets) の低減、すなわち、より優れた効率IGBT、8kHz のスイッチング速度で7% 低いEts、15kHz のスイッチング速度で11%低いEts、低速dV/dt スイッチング (<5V/ns)、およびより高い信頼性のための改善されたセル設計を提供します。

デザイン リソース

開発者コミュニティ