インフィニオン、世界初の300 mmパワーGaN技術を発表

ビジネス＆財務プレス

11/09/2024
  • インフィニオン、画期的な 300 mm GaN 技術により急成長する GaN 市場を牽引
  • 既存の大規模な 300 mm シリコン製造を活用し、GaN製造の資本効率を最大化
  • 300 mm GaN は徐々にシリコンと同等のコストを達成するのに貢献

 

2024年9月11日、ミュンヘン (ドイツ)、フィラッハ (オーストリア)

 

インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は本日、世界初の 300 mm パワー窒化ガリウム (GaN) ウエハー技術の開発に成功したことを発表しました。インフィニオンは、世界で初めて、この画期的な技術を既存の拡張可能な大量製造環境で開発しました。この画期的な技術は、GaNベースのパワー半導体の市場を大きく牽引するものです。300 mm ウエハーでのチップ製造は、ウエハー口径が大きくなることによってウエハー１枚あたり2.3倍のチップが製造できるため、200 mm ウエハーに比べて技術的に高度であり、効率も大幅に向上しています。

 

GaNベースのパワー半導体は、AIシステム用電源、太陽光インバーター、充電器やアダプター、モーター制御システムなど、産業用、車載用、コンシューマー、コンピューティング＆コミュニケーション用のアプリケーションで急速に採用が進んでいます。最先端のGaN製造プロセスは、デバイス性能の向上につながり、効率性能、小型化、軽量化、総コストの低減を可能にすることで、最終顧客のアプリケーションに便益をもたらします。さらに、300mm製造によって、より安定的な供給が確保されます。

 

インフィニオンのCEO、ヨッヘン ハネベック (Jochen Hanebeck)は「この目覚しい成功は、インフィニオンの革新的な強み、および、GaN とパワーシステムにおけるイノベーショ ン リーダーとしての地位を実証するべくグローバルチームが献身的に取り組んだ結果です。この技術的ブレークスルーは、業界のゲームチェンジャーとなり、窒化ガリウムの可能性を最大限に引き出すことを可能にするでしょう。GaNシステムズ社の買収から約1年、当社は急成長するGaN市場を牽引する決意を再び示したといえます。パワーシステムのリーダーとして、インフィニオンは、シリコン、炭化ケイ素 (SiC)、GaNという、関連する 3 つの素材すべてに精通しています」 と述べています。

 

インフィニオンは、フィラッハ (オーストリア) のパワー半導体工場の既存の 300 mm シリコン製造に統合されたパイロット ラインで、300 mm GaN ウエハーの製造に成功しました。インフィニオンは、既存の 300 mm シリコンと 200 mm GaN の製造で確立された能力を活用しています。さらに、市場のニーズに合わせてGaNの製造能力をさらに拡大する予定です。300 mm GaN の製造により、インフィニオンは、2030年までに数十億米ドルに達すると推定される成長中の GaN 市場を牽引します。300mm GaNを導入することで、既存のソリューションを強化し、コスト効率の高い価値提案と顧客システムの全領域に対応できる能力を備えた新しいソリューションとアプリケーション分野を実現します。最初の 300 mm GaN ウエハーは、2024 年 11 月にミュンヘンで開催される展示会の エレクトロニカで、一般公開する予定です。

 

300 mm GaN 技術の大きな利点は、GaNとシリコンの製造プロセスが非常に似ているために既存の 300 mm シリコン製造装置を利用できることです。インフィニオンの既存の量産シリコン 300 mm 製造ラインは、信頼性の高い GaN 技術を試験的に導入するのに理想的であり、実装の迅速化と資本の効率的な利用を可能にします。完全にスケールアップされた 300 mm の GaN製造は、オン抵抗レベルでシリコンと同等の GaN コスト、つまり同等の Si と GaN 製品のコスト・パリティに貢献します。

300 mm GaN は、インフィニオンの戦略的イノベーション リーダーシップにおける新しいマイルストーンであり、脱炭素化とデジタル化というインフィニオンのミッションを支えます。

インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。全世界で約58,600人の従業員を擁し、2023年会計度 (2022年10月～2023年9月) の売上高は約163億ユーロです。ドイツではフランクフルト証券取引所 (銘柄コード：IFX) 、米国では店頭取引市場のOTCQX  (銘柄コード：IFNNY) に上場しています。ウェブサイト www.infineon.com/jp

Follow us: X - Facebook - LinkedIn

Press Photos

Infineon CEO Jochen Hanebeck with one of the first 300 mm GaN power wafers

Infineon CEO Jochen Hanebeck with one of the first 300 mm GaN power wafers

Infineon CEO Jochen Hanebeck holds one of the world’s first 300 mm GaN Power wafers produced in an existing and scalable high-volume manufacturing environment.

JPEG

2126x1417 px

ダウンロード
×
img-model
Gallium Nitride Wafer 300mm

Gallium Nitride Wafer 300mm

A technical engineer in the cleanroom at Infineon Technologies in Villach, Austria, holds a 300 mm gallium nitride wafer.

JPEG

2126x1417 px

ダウンロード
×
img-model

Information Number : INFXX202409-142j