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T2160N28TOF VT
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T2160N28TOF VT

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T2160N28TOF VT
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製品仕様情報

  • ITAVM/TC [A/°C] (@180° el sin)
    2400/85
  • ITAVM
    2400 (180 ° el sin)
  • ITSM [A] (@10ms, Tvj max)
    40000
  • ITSM
    40000 A
  • rT [mΩ] (@Tvj max) (最大)
    0.154
  • RthJC [K/kW] (@180° el sin) (最大)
    8.5
  • TQ [μs]
    400
  • Tvj [°C] (最大)
    125
  • VDRM / VRRM [V]
    2800
  • VDRM/ VRRM (V)
    2800 V
  • VT/IT [V/kA] (@Tvj max)
    2.65/8.8
  • VT0 [V] (@Tvj max) (最大)
    1.05
  • ∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max)
    8000
  • クランプ力 [kn] 範囲
    42～95
  • コンフィギュレーション
    Electrical Triggered Phase Control Thyristor
  • パッケージ
    Disc dia 111mm height 26mm / Ceramic
OPN
T2160N28TOFVTXPSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ BG-T11126K-1
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 2
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ BG-T11126K-1
パッケージ名 -
梱包サイズ 2
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The T2160N Phase Control Thyristor discs are assembled in high reliable, robust and hermetic sealed ceramic housings with a dia of 111mm and a height of 26mm.

特長

  • Full blocking capability 50/60 Hz
  • High DC blocking stability
  • High surge current capability
  • High turn-on di/dt capability
  • High dv/dt capability

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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