SPW11N60CFD

データシート

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SPW11N60CFD
SPW11N60CFD
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    11 A
  • ID (最大)
    11 A
  • IDpuls (最大)
    28 A
  • Ptot (最大)
    125 W
  • QG
    48 nC
  • QG (typ @10V)
    48 nC
  • RDS (on) (最大)
    440 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    440 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    1 K/W
  • Rth
    1 K/W
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) (範囲)
    3 V ～ 5 V
  • パッケージ
    TO-247
  • 動作温度 (最小)
    -55 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V CoolMOS™ CFD series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. Replacement for CoolMOS™ CFD is 600V CoolMOS™ CFD7  
 
Characteristics and applications of CoolMOS ™ CFD2
Improved cost performance, light load efficiency and ease-of-use in EMI and low voltage overshoot. Soft switching resonant topologies with hard commutation requirements requiring a fast body diode.

特長

  • Fourth series of CoolMOS™ market entry in 2004
  • Fast Body Diode, Qrr 1/10th of C3 series, Vth 4 V, g fs high, Rg low
  • Specific for phase-shift ZVS and DC-AC power applications

利点

  • Improved efficiency
  • More efficient, more compact, lighter and cooler
  • Outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggedness

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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