これはサポート終了製品です。新しい代替製品バージョンを表示してください。 これはサポート終了製品です。新しい代替製品バージョンを表示してください。
SPP18P06P H
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

SPP18P06P H

生産終了
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET), -60V, TO-220
データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

SPP18P06P H
SPP18P06P H
データシート


製品仕様情報

  • Ciss
    690 pF
  • Coss
    230 pF
  • ID (最大)
    -18.6 A
  • IDpuls (最大)
    -74.4 A
  • Ptot (最大)
    80 W
  • QG (typ @10V)
    18.6 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    130 mΩ
  • Rth
    1.85 K/W
  • VDS (最大)
    -60 V
  • VGS(th)
    -2.7 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.56
  • 動作温度 (最大)
    175 °C
  • 動作温度 (最小)
    -55 °C
  • 極性
    P

OPN
SPP18P06PHXKSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

特長

  • Enhancement mode
  • Avalanche rated
  • Fast switching
  • Dv/dt rated
  • Pb-free lead-plating
RoHS compliant, Halogen-free
  • Qualified according to AEC Q101

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ