SPD30P06P G
Active and preferred
RoHS対応

SPD30P06P G

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET), -60V, DPAK
パッケージ
複数のOPNを利用可能
個.

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SPD30P06P G
SPD30P06P G
個.

製品仕様情報

  • Ciss
    1228 pF
  • Coss
    387 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    -30 A
  • IDpuls (最大)
    -120 A
  • Ptot (最大)
    125 W
  • QG (typ @10V)
    32 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    75 mΩ
  • Rth
    1.2 K/W
  • VDS (最大)
    -60 V
  • VGS(th)
    -3 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • 予算価格€/ 1k
    0.49
  • 動作温度 (最大)
    175 °C
  • 動作温度 (最小)
    -55 °C
  • 極性
    P
推奨
OPN
SPD30P06PGATMA1 SPD30P06PGBTMA1
製品ステータス active and preferred discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK DPAK
梱包サイズ 2500 2500
梱包形態 TAPE & REEL TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1 1
防湿梱包 NON DRY NON DRY
鉛フリー No No
ハロゲンフリー Yes No
RoHS対応 Yes Yes
Infineon stock last updated:
代替品を表示

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

特長

  • Enhancement mode
  • Avalanche rated
  • Fast switching
  • Dv/dt rated
  • Pb-free lead-plating
RoHS compliant, Halogen-free
  • Qualified according to AEC Q101
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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