SPB11N60S5

データシート

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SPB11N60S5
SPB11N60S5
データシート

Product details

  • ID max
    11 A
  • ID (@25°C) max
    11 A
  • IDpuls max
    22 A
  • Ptot max
    125 W
  • QG
    41.5 nC
  • QG (typ @10V)
    41.5 nC
  • RDS (on) max
    380 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    380 mΩ
  • RthJC max
    1 K/W
  • Rth
    1 K/W
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    3.5 V to 5.5 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

機能

  • Innovative high voltage technology
  • Worldwide best R DS(on) in TO-251 and TO-252
  • Ultra low gate charge
  • Periodic avalanche rated
  • Extreme dv/dt rated
  • Ultra low effective capacitances
  • Improved transconductance

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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