SPB02N60S5

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データシート

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SPB02N60S5
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データシート

製品仕様情報

  • ID (最大)
    1.8 A
  • ID (@25°C) (最大)
    1.8 A
  • IDpuls (最大)
    3.2 A
  • Ptot (最大)
    25 W
  • QG
    7.3 nC
  • RDS (on) (最大)
    3000 mΩ
  • RthJC (最大)
    5 K/W
  • Rth
    5 K/W
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) 範囲
    3.5 V～5.5 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:

特長

  • Innovative high voltage technology
  • Worldwide best R DS(on) in TO-251 and TO-252
  • Ultra low gate charge
  • Periodic avalanche rated
  • Extreme dv/dt rated
  • Ultra low effective capacitances
  • Improved transconductance

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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