S29GL256P11FFIV12

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S29GL256P11FFIV12
S29GL256P11FFIV12


製品仕様情報

  • インターフェース
    Parallel
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    GL-P
  • ページ アクセス時間
    25 ns
  • メモリ容量
    256 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 初期アクセス時間
    110 ns
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S29GL256P11FFIV12は256 Mbitページモードフラッシュメモリで、90 nm MirrorBit®技術を採用し、128 Kbyte均一セクタを提供。高密度・高性能の組込み用途に最適です。単一3 V電源（2.7–3.6 V）で動作し、VersatileIO対応、I/O電圧は1.65 VからVCCまで。32ワード書き込みバッファによる高速プログラミング、各セクタ10万回の消去、高度なセクタ保護機能とセキュアドシリコンセクタを搭載。

特長

  • 90 nm MirrorBitプロセス技術
  • 単一3 V読み出し/書き込み/消去
  • VersatileIO制御(1.65 V～VCC I/O)
  • 32ワード/64バイト書き込みバッファ
  • 8ワード/16バイトページリードバッファ
  • 均一64 Kワード/128 Kバイトセクタ
  • 128ワード/256バイトセキュア領域
  • 高度なセクタ保護機能
  • プログラム/消去サスペンド・再開
  • ハードウェアデータ保護(WP#/ACC, VCC)
  • 書き込みパルスグリッチ保護
  • セクタ毎10万回消去(標準)

利点

  • 高密度で組込ストレージに最適
  • 低電圧で消費電力を削減
  • 柔軟なI/Oで統合容易
  • 書き込みバッファで高速化
  • ページリードでアクセス高速
  • メモリ管理を簡素化
  • セキュア領域でID保護
  • データの誤変更を防止
  • サスペンド/再開で効率向上
  • ハード保護でデータ損失防止
  • グリッチ保護で信頼性向上
  • 高耐久で長寿命

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ