S29GL256P10FFI020

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S29GL256P10FFI020
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製品仕様情報


OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S29GL256P10FFI020は256 Mbit・3.0 Vページモードフラッシュメモリで、90 nm MirrorBit®技術を採用。128 Kバイト均一セクタと1.65 V～VCC対応VersatileIO™を備え、ランダムアクセス100 ns、32ワード書き込みバッファ、高度なセクタ保護を実現。典型スタンバイ電流1 µA、各セクタ10万回消去、動作温度-40°C～+85°Cで、組込み用途のコード保存やデータ記録に最適です。

特長

  • 90 nm MirrorBitプロセス技術
  • 単一3 V読み出し/書き込み/消去
  • VersatileIO制御(1.65 V～VCC I/O)
  • 32ワード/64バイト書き込みバッファ
  • 8ワード/16バイトページリードバッファ
  • 均一64 Kワード/128 Kバイトセクタ
  • 128ワード/256バイトセキュア領域
  • 高度なセクタ保護機能
  • プログラム/消去サスペンド・再開
  • ハードウェアデータ保護(WP#/ACC, VCC)
  • 書き込みパルスグリッチ保護
  • セクタ毎10万回消去(標準)

利点

  • 高密度で組込ストレージに最適
  • 低電圧で消費電力を削減
  • 柔軟なI/Oで統合容易
  • 書き込みバッファで高速化
  • ページリードでアクセス高速
  • メモリ管理を簡素化
  • セキュア領域でID保護
  • データの誤変更を防止
  • サスペンド/再開で効率向上
  • ハード保護でデータ損失防止
  • グリッチ保護で信頼性向上
  • 高耐久で長寿命

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ