Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

P2000DL45X168

4500 V, 2000 A Press Pack IGBT
データシート

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P2000DL45X168
P2000DL45X168
データシート

Product details

  • IC(nom) / IF(nom)
    2000 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ) max
    3.05 V
  • VCES
    4500 V
  • コンフィギュレーション
    IGBT + Diode
  • パッケージ
    Disc dia 168mm high 26mm / Ceramic
推奨
OPN
P2000DL45X168HPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ BG-P16826K-1
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ BG-P16826K-1
パッケージ名 -
包装サイズ 1
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The Press Pack IGBT offers 2000 A with internal freewheeling diode using Infineon Trench 4.5 kV IGBT chips.

機能

  • Behavior in case of a failure
  • Hermetically sealed housing
  • Cooling of the device
  • Stack Design

図

Diagram_Presspack
Diagram_Presspack
Diagram_Presspack Diagram_Presspack Diagram_Presspack
×
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ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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