JANSR2N7661T3
新規
Active and preferred

JANSR2N7661T3

新規
Rad Hard, -200 V, -14 A, MOSFET in Low-Ohmic TO-257AA - 100 krad TID, JANS
データシート
パッケージ

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JANSR2N7661T3
JANSR2N7661T3
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) (最大)
    -14 A
  • QG
    49 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    175 Ω
  • TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • VF (最大)
    -1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    Low-Ohmic TO-257AA
  • 極性
    P
  • 認定
    JANS

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA LOW OHMIC
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA LOW OHMIC
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
JANSR2N7661T3 is a R9 superjunction, rad hard, single P-channel MOSFET in a Low-Ohmic TO-257AA package that can handle -200 V and -14 A. It is optimal for space applications as its combination of low RDS(on), and improved SOA will allow for better performance in applications such as high-voltage DC-DC converters.

特長

  • Improved SOA for linear mode operation
  • Low RDS(on)
  • Improved avalanche energy
  • Simple drive requirements
  • Hermetically sealed
  • Electrically isolated
  • Ceramic eyelets
  • ESD rating: class 2 (MIL-STD-750, 1020)

アプリケーション

宇宙アプリケーション
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ