JANSR2N7657U9C
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JANSR2N7657U9C

From 20 V to 650 V, space-qualified to DLA and ESA standards
データシート
パッケージ

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JANSR2N7657U9C
JANSR2N7657U9C
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    1B
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) (最大)
    4.4 A
  • QG
    10 nC
  • QPL型番
    2N7657U9C
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    570 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS (最小)
    250 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD 0.1
  • 極性
    N
  • 認定
    DLA
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
Rad hard, -250V, 4.4A, N-channel MOSFET, R9 in SMD 0.1 package - 100 krad(Si) TID, QPL

特長

  • Single event effect (SEE) hardened (up to LET of 88.6 MeV·cm2 /mg)
  • Fast switching
  • Low total gate charge
  • Simple drive requirements
  • Hermetically sealed
  • Ceramic package
  • Light Weight
  • Surface mount
  • ESD rating: Class 1B per MIL-STD-750, Method 1020

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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