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JANSR2N7616UBCN

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JANSR2N7616UBCN
JANSR2N7616UBCN
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 0
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) max
    0.5 A
  • ID (@25°C) max
    0.8 A
  • QG
    3.6 nC
  • QPL型番
    2N7616UBC
  • RDS (on) (@25°C) max
    680 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    Z
  • パッケージ
    UBC
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE, SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V, 100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-LCC-3
パッケージ名 LCC-3 Ceramic lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-LCC-3
パッケージ名 LCC-3 Ceramic lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
JANSR2N7616UBCN is a N-channel MOSFET with 60V/0.8A rating and a R7 UBC package. It is rad hard, QPL qualified and can operate in radiation environments up to 100krad(Si) TID. The R7 device maintains single event gate rupture and burnout immunity over full operating temperature and post radiation. It is ideal for interfacing with CMOS and TTL control circuits and can increase output current.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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