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JANSR2N7548T3

From -30 V to -200 V, DLA-qualified for space applications
データシート
パッケージ

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JANSR2N7548T3
JANSR2N7548T3
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1C per MIL-STD-750, \\n Method 1020
  • Generation
    R5
  • ID (@25°C) max
    -8 A
  • QG
    45 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    515 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • VF max
    -5 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA
  • 極性
    P
  • 認定
    DLA
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA STANDARD
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA STANDARD
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
JANSR2N7548T3 is a rad hard, -200V, -8A, single, P-channel MOSFET in a TO-257AA package. This QPL-qualified R5 device has electrical performance up to 100krad(Si) TID and has low RDS(on) and low gate charge, making it suitable for switching applications such as DC-DC converters and motor controllers in satellite bus and payload power systems.

機能

  • Single event effect (SEE) hardened
  • Fast switching
  • Low RDS(on)
  • Low total gate charge
  • Simple Drive requirements
  • Hermetically sealed
  • Electrically isolated
  • Ceramic eyelets
  • Light Weight
  • ESD rating: Class 1C per MIL-STD-750, Method 1020

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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