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JANSR2N7493T2

データシート
パッケージ

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JANSR2N7493T2
JANSR2N7493T2
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    7.4 A
  • ID (@25°C) max
    11.7 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7493T2
  • RDS (on) (@25°C) max
    80 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
Our N-channel MOSFET JANSR2N7493T2 is designed for space applications with its 100V, 11.7A capacity. Built with IR HiRel R5 technology, it has been proven to be reliable for decades in satellite applications. This single N-channel MOSFET has low RDS(on) and gate charge, making it ideal for DC-DC converters and motor control. A QPL-qualified device in a TO-205AF package, it offers electrical performance up to 100krad TID.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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