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JANSR2N7479U3

データシート
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JANSR2N7479U3
JANSR2N7479U3
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    22 A
  • ID (@25°C) max
    22 A
  • QG
    65 nC
  • QPL型番
    2N7479U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    20 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Metal Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Metal Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Rad hard N-channel MOSFET JANSR2N7479U3 is a single device that can handle up to 30V and 22A in a SMD-0.5 package. QPL qualified and with electrical performance up to 100krad(Si) TID, it is suitable for space applications. Low RDS(on) and low gate charge provide high performance, low power losses, and fast switching. This R5 device offers voltage control and temperature stability of electrical parameters.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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