JANSR2N7431
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JANSR2N7431
JANSR2N7431
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    35 A
  • ID (@25°C) (最大)
    35 A
  • QG
    270 nC
  • QPL型番
    2N7431
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    21 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF (最大)
    1.5 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
JANSR2N7431 N-channel MOSFET is a high-performance, rad-hard power device suitable for space applications. It operates at 60V and 35A with electrical performance up to 100krad(Si) TID. This single N-channel R4 MOSFET comes in TO-254AA package and offers low RDS(on) and gate charge for reduced power losses. With IR HiRel rad hard HEXFET technology, it provides reliability, voltage control, fast switching, and temperature stability.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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