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JANSG2N7261

データシート
パッケージ

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JANSG2N7261
JANSG2N7261
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    5 A
  • ID (@25°C) max
    8 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7261
  • RDS (on) (@25°C) max
    180 mΩ
  • TID max
    500 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.5 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
JANSG2N7261 is a 100V, 8A rad hard single N-channel MOSFET with electrical performance up to 500krad(Si) TID and QPL classification. IR HiRel HEXFET technology provides reliability in space applications, reducing power losses in DC-DC converters and motor control. Low RDS(on) and gate charge make it ideal for high-performance power systems in harsh radiation environments.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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