JANSF2N7648T3
Active and preferred

JANSF2N7648T3

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

JANSF2N7648T3
JANSF2N7648T3
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) (最大)
    22 A
  • ID (@25°C) (最大)
    30 A
  • QG
    44 nC
  • QPL型番
    2N7648T3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    35 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA LOW OHMIC
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA LOW OHMIC
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The JANSF2N7648T3 R9 N-channel MOSFET is a radiation-hardened device with a 100V and 30A rating, ideal for space applications. Its low RDS(on) and faster switching times increase power density and reduce power losses in high-speed switching applications. Electrical performance up to 300krad(Si) TID classification. The MOSFET advantages of voltage control, fast switching, ease of paralleling and temperature stability are retained.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ