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JANSF2N7616UBCN

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JANSF2N7616UBCN
JANSF2N7616UBCN
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 0
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) max
    0.5 A
  • ID (@25°C) max
    0.8 A
  • QG
    3.6 nC
  • QPL型番
    2N7616UBC
  • RDS (on) (@25°C) max
    680 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    UBC
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE, SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V, 100 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-LCC-3
パッケージ坝 LCC-3 Ceramic lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-LCC-3
パッケージ坝 LCC-3 Ceramic lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
JANSF2N7616UBCN is a single N-channel MOSFET with 60V and 0.8A rating. Designed for harsh radiation environments, it has an electrical performance of up to 300krad(Si) TID and QPL classification. Its UBC package provides an easy interface for most logic gates, micro-controllers and ICs. This R7 MOSFET is ideal for increasing output current and interfacing with 3.3-5V sources in radiation environments.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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