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JANSF2N7381

データシート
パッケージ

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JANSF2N7381
JANSF2N7381
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    6 A
  • ID (@25°C) max
    9.4 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7381
  • RDS (on) (@25°C) max
    400 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.4 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA
  • 極性
    N
  • 認定
    DLA
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
Rad hard JANSF2N7381 N-channel MOSFET is a high-performance power device designed for space applications. With a voltage rating of 200V and a current rating of 9.4A, this QPL-qualified R4 device guarantees reliable and efficient performance in DC-DC converters and motor control. It is also radiation-hardened, tested for both TID and SEE, and comes in a TO-257AA package.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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