ISZ173N15NM6
Active and preferred
RoHS対応

ISZ173N15NM6

OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in SuperSO8 package
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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ISZ173N15NM6
ISZ173N15NM6
個.
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    48 A
  • IDpuls (最大)
    192 A
  • Ptot (最大)
    94 W
  • QG (typ @10V)
    14.8 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    17.3 mΩ
  • VDS (最大)
    150 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～4 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N

推奨
OPN
ISZ173N15NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
DE
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 -
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
DE
個.
在庫あり

特長

  • 42% lower RDS(on) than OptiMOS™ 5
  • 20% lower FOMg than OptiMOS™ 5
  • Industry's lowest Qrr in 150 V
  • Improved diode softness vs OptiMOS™ 5
  • Tight Vgs(th) spread of +/-500 mV
  • High avalanche ruggedness
  • Max Tj of 175°C

利点

  • Low conduction and switching losses
  • Stable operation with improved EMI
  • Better current sharing when paralleling
  • Optimized PCB area utilization
  • Enhanced robustness
  • Improved system reliability
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ