Active and preferred
RoHS準拠

ISZ080N10NM6

OptiMOS™ 6 power MOSFET 100 V Normal Level in PQFN 3.3x3.3 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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ISZ080N10NM6
ISZ080N10NM6
EA.
データシート

製品仕様情報

  • ID max
    75 A
  • ID (@25°C) max
    75 A
  • IDpuls max
    300 A
  • Ptot max
    100 W
  • QG (typ @10V)
    19 nC
  • QG
    19 nC
  • RDS (on) max
    8.04 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    8.04 mΩ
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.57
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
推奨
OPN
ISZ080N10NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3.3 x 3.3
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3.3 x 3.3
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
ISZ080N10NM6 OptiMOS™ 6 100 V in normal level is setting new technology standards in power MOSFETs. Compared to alternative products, Infineon’s leading thin wafer technology is enabling significant performance benefits. OptiMOS™ 6 industrial power MOSFET 100 V is designed for high switching frequency application such as telecom and server power supply, but also the ideal choice for other applications such as solar, power tools and drones.

機能

  • Achieves:~20% lower RDS(on)
  • 30% FOMg&40% FOMgd
  • Low & soft reverse recovery charge
  • Ideal for high switching frequency
  • MSL 1 classified according to J-STD-020
  • 175 °C junction temperature rating
  • High avalanche energy rating
  • Pb-free lead plating
  • RoHS compliant

利点

  • Low conduction losses
  • Low switching losses
  • Fast turn on and off
  • Less paralleling required
  • Robust reliable performance
  • Environmentally friendly
  • Less paralleling required

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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