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ISZ033N03LF2S

StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in PQFN 3.3 x 3.3 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2S
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    109 A
  • QG (typ @4.5V)
    10 nC
  • QG (typ @10V)
    21 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    5.7 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    3.3 mΩ
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1.85 V
  • Package
    PQFN 3.3 x 3.3
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
推奨
OPN
ISZ033N03LF2SATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 N/A
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 -
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Infineon’s StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V technology features a best-in-class RDS(on) of 3.3 mOhm in a PQFN 3.3 x 3.3 package. This product addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency.Compared to the previous technology, the ISZ033N03LF2S achieves up to 40% RDS(on) improvement while having up to 60% FOM enhancement and excellent robustness.

機能

  • General purpose products
  • Excellent robustness
  • Superior price/performance ratio
  • Broad availability at distributors
  • Standard packages and pin-out
  • High manufacturing & supply standards

利点

  • Addresses a wide range of applications
  • Reliable performance
  • High quality and competitive pricing
  • Convenient selection & purchasing
  • Ease of design-in
  • Simplified product services

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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