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ISC060N06NM6

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OptiMOS™ 6 60 V - ベンチマーク性能の新たな業界標準を打ち立てる最新のパワーMOSFET技術。
データシート

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ISC060N06NM6
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Product details

  • ID (@25°C) max
    62 A
  • QG (typ @10V)
    12.4 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    6 mΩ
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    2.7 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6 FL
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
ISC060N06NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 FL
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 FL
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
インフィニオンの最新ウェーハ技術では、前身のOptiMOS™ 5と比較して、RDS(on)が37%以上低下、FOMQg x RDS(on)が約25%向上するなど、大幅な性能向上が実現されています。こうした改善により、ソフトスイッチング トポロジーと低周波アプリケーションにおけるシステム効率と電力密度が向上します。

機能

  • High performance silicon technology
  • Soft-switching optimized
  • Normal level gate drive
  • 175°C rated
  • Industrial qualification

利点

  • Lower conduction losses than OptiMOS™ 5
  • Lower switching losses than OptiMOS™ 5
  • Improved performance efficiency
  • Superior power handling capability
  • Robust reliable performance

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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