Active and preferred
RoHS準拠

ISC055N15NM6

OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in SuperSO8 package
データシート
パッケージ

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ISC055N15NM6
ISC055N15NM6
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    130 A
  • IDpuls max
    520 A
  • Ptot max
    214 W
  • QG (typ @10V)
    43 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    5.5 mΩ
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6 FL
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Fused leads
推奨
OPN
ISC055N15NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 N/A
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 -
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

機能

  • Very low RDS(on)
  • 20% lower FOMg than OptiMOS™ 5
  • Industry's lowest Qrr in 150 V
  • Improved diode softness vs OptiMOS™ 5
  • Tight Vgs(th) spread of +/-500 mV
  • High avalanche ruggedness
  • Max Tj of 175°C

利点

  • Low conduction and switching losses
  • Stable operation with improved EMI
  • Better current sharing when paralleling
  • Optimized PCB area utilization
  • Enhanced robustness
  • Improved system reliability

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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