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ISC046N13NM6

OptiMOS™ 6 power MOSFET 135 V Normal Level in SuperSO8 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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ISC046N13NM6
ISC046N13NM6
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    142 A
  • QG (typ @10V)
    65 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    4.6 mΩ
  • VDS max
    135 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Package
    SuperSO8 5x6
  • Budgetary Price €/1k
    1.8
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
推奨
OPN
ISC046N13NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 N/A
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 -
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The OptiMOS™ 6 135 V MOSFET technology is a cost-efficient solution optimized for motor drives, but also adaptable for other applications such as UPS. Compared to the OptiMOS™ 5 150 V technology, significant performance improvements are achieved: Up to 70% reduction in diode reverse recovery charge (Qrr) and 45% lower peak reverse recovery current (Irrm) contribute to lower EMI and lower power losses. The 38% reduction in gate threshold voltage spread results in improved dynamic current sharing, leading to increased reliability.

機能

  • Up to 48% lower ON-state-resistance
  • Up to 38% lower gate threshold voltage spread
  • Up to 70% reduction of reverse recovery charge (Qrr)
  • Up to 45% lower peak reverse recovery current
    (-Irrm)

利点

  • Size reduction enabled with SuperSO8 best-in-class
  • System cost reduction
  • Less paralleling required
  • Reduced VDS overshoot & switching losses
  • Higher power density designs

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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