Active and preferred
RoHS準拠

ISC012N04NM6

OptiMOS™ 6 power MOSFET 40 V normal level in a SSO8 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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ISC012N04NM6
ISC012N04NM6
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    232 A
  • ID max
    232 A
  • IDpuls max
    928 A
  • Ptot max
    125 W
  • QG
    51 nC
  • QG (typ @10V)
    51 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.2 mΩ
  • RDS (on) max
    1.2 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    2.3 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.58
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Fused leads
推奨
OPN
ISC012N04NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 FL
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 FL
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The ISC012N04NM6 is part of the BiC OptiMOS™6 40V NL product family, offering a benchmark solution for Normal Level (higher threshold voltage) required applications. A higher Vth for the normal level portfolio means that only larger gate voltage spikes would cause unwanted turn-on. In addition, lower QGD/QGS ratios (CGD/CGS divider ratio) reduce the peak of the gate voltage spikes, further contributing to the robustness against unwanted turn-on.

機能

  • Normal Level gate threshold
  • Optimized Charge ratio
  • Low gate charge
  • 100% Avalanche tested
  • Superior thermal resistance

利点

  • Resilient Gate Drive in Noisy Areas
  • Reduced peak gate voltage spikes
  • Lower switching losses, low gate charge
  • Robust performance
  • Suitable for FOC and DTC motor control

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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