IRS2103

600 V half-bridge gate driver IC with shoot through protection
データシート

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IRS2103
IRS2103
データシート

Product details

  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.9 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift
  • コンフィギュレーション
    Half Bridge
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    150 ns
  • 伝搬遅延オン
    680 ns
  • 入力 Vcc
    10 V to 20 V
  • 出力電流 (Source)
    0.29 A
  • 出力電流 (Sink)
    0.6 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    600 V
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
600 V half-bridge gate driver IC for IGBTs and MOSFETs with typical 0.29 A source and 0.6 A sink currents in 8 Lead PDIP package. Also available in 8 lead SOIC.

機能

  • Floating driver for bootstrap op.
  • Fully operational to +600 V
  • Tolerant to neg. transient volt.
  • dV/dt immune
  • Gate drive supply: 10 V to 20 V
  • Undervoltage lockout
  • 3.3, 5 & 15 V input logic compat.
  • Cross-conduction prevention logic
  • Matched prop. delay for both chan.
  • Internal set deadtime
  • Highside out. in phase with HIN in.

用途

図

Block_Diagram_IRS2103
Block_Diagram_IRS2103
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ドキュメント

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デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }