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代替品
生産終了
生産終了
RoHS準拠

IRLB3034

生産終了
40V Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package
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パッケージ
代替品

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IRLB3034
IRLB3034
代替品
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    343 A
  • Ptot max
    375 W
  • Qgd
    54 nC
  • QG (typ @4.5V)
    108 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.7 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    2 mΩ
  • RthJC max
    0.4 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    1.75 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    1.69
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRLB3034PBF IRLB3034PBFXKMA1
製品ステータス discontinued discontinued
インフィニオンパッケージ
TO220
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220 TO220
包装サイズ 1000 1000
包装形態 TUBE TUBE
水分レベル NA NA
モイスチャーパッキン NON DRY NON DRY
鉛フリー No Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:
代替品
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
代替品
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

機能

  • High-current rating
  • Product qual. acc. to JEDEC standard
  • Silicon optimized for switching <100 kHz
  • Softer body-diode vs prev silicon gen
  • Industry std through-hole power package
Wide portfolio available

利点

  • High-current carrying capability package
  • Industry standard qualification level
  • High performance, low-frequency
  • Increased power density
  • Drop-in replacement with standard pinout
  • Flexibility for optimal device selection

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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