IRL60S216

IRL60S216

60V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a D2-Pak package
データシート

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IRL60S216
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データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    298 A
  • Ptot (最大)
    375 W
  • Qgd
    80 nC
  • QG (typ @4.5V)
    170 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.95 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    2.2 mΩ
  • RthJC (最大)
    175 K/W, 0.4 K/W
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) 範囲
    1 V～2.4 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    1.72
  • 動作温度 (最大)
    175 °C
  • 動作温度 (最小)
    -55 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

特長

  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Industry standard surface mount package
  • High-current rating
  • Logic level

利点

  • Wide availability from distribution partners
  • Industry standard qualification level
  • Standard pinout allows for drop in replacement
  • High power density
  • Capable of 4.5V gate drive

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ