IRL60HS118
Active and preferred
RoHS対応

IRL60HS118

New logic level MOSFETs for low VGS
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IRL60HS118
IRL60HS118
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    18.5 A
  • IDpuls (最大)
    56 A
  • Ptot (最大)
    11.5 W
  • Qgd
    2.1 nC
  • QG (typ @4.5V)
    5.3 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    17 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    23.5 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) (最大)
    23.5 mΩ
  • RthJA (最大)
    60 K/W
  • RthJC (最大)
    13 K/W
  • Rth
    13 K/W
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V～2.3 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • パッケージ
    PQFN 2 x 2 (DFN2020)
  • 予算価格€/ 1k
    0.3
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level
推奨
OPN
IRL60HS118
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSDSON-6
パッケージ名 PQFN 2 x 2
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSDSON-6
パッケージ名 PQFN 2 x 2
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Available in three different voltage classes (60 V, 80 V and 100 V), Infineon’s new logic level power MOSFETs are highly suitable for wireless charging , telecom and adapter applications. The PQFN 2x2 package is especially suited for high speed switching and form factor critical applications. It enables higher power density and improved efficiency as well as significant space saving. VGS

特長

  • FOM(RDS(on)xQg/gd)
  • Optimized Qg, Coss
  • Logic level compatibility
  • Tiny PQFN 2 x 2 mm package

利点

  • Smallest package footprint
  • Higher power density designs
  • Higher switching frequency
  • Reduced parts count with 5V supply
  • Driven directly from microcontrollers
  • System cost reduction
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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