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IRL540N

100V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IRL540N
IRL540N
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    36 A
  • Ptot max
    140 W
  • Qgd
    25.3 nC
  • QG (typ @4.5V)
    49.3 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    44 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    63 mΩ
  • RthJC max
    1.1 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    1.5 V
  • VGS max
    16 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.37
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IRL540NPBF
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

機能

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Silicon optimized for applications
  • Industry standard through-hole power
  • High-current rating

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability at distribution
  • Industry standard qualification
  • High performance, low-frequency
  • Standard pin-out, drop-in replacement
  • High current capability

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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