IRHYS9A97130CM
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IRHYS9A97130CM

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IRHYS9A97130CM
IRHYS9A97130CM
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) (最大)
    -23 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7660T3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    76 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • VF (最大)
    -1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Low Ohmic
  • 極性
    P
  • 認定
    COTS

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA LOW OHMIC
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA LOW OHMIC
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHYS9A97130CM is a R9, rad hard, -100V, -23A, single, P-channel MOSFET in a TO-257AA low ohmic package. It has electrical performance up to 100krad(Si) TID and has low RDS(on) and low gate charge, making it suitable for switching applications such as DC-DC converters and motor controllers, while retaining the advantages of MOSFETs.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ